ULTRARAM ma niezwykłe adekwatności, łącząc nieulotność pamięci do przechowywania danych, takiej jak flash, z szybkością, energooszczędnością i wytrzymałością pamięci roboczej, takiej jak DRAM. Większość funduszy na roczny projekt zostanie wydana w IQE, które rozszerzy produkcję warstw półprzewodników złożonych z Uniwersytetu Lancaster do procesu przemysłowego w firmie z siedzibą w Cardiff. Będzie to wiązało się z opracowaniem przez IQE zaawansowanych możliwości wzrostu półprzewodników złożonych, antymonku galu i antymonku glinu po raz pierwszy. Projekt następuje po znacznych inwestycjach mających na celu wzmocnienie brytyjskiego przemysłu półprzewodników i utworzeniu pierwszego na świecie klastra półprzewodników złożonych w Południowej Walii.
Profesor Hayne, który jest liderem zespołu Lancaster, współzałożycielem i dyrektorem ds. naukowych w Quinas, powiedział: „Jesteśmy zachwyceni, iż Innovate UK wspiera ten ambitny projekt, a IQE zobowiązało się do opracowania pierwszej części masowej produkcji ULTRARAM”.
Szacuje się, iż do 2030 roku światowy rynek układów pamięci będzie wart około 320 miliardów dolarów, ale Wielka Brytania na razie nie ma w nim żadnych udziałów.
Profesor Hayne powiedział: „ULTRARAM stanowi ogromną szansę ekonomiczną dla Wielkiej Brytanii, a wydajność, jaką może przynieść komputerom na wszystkich skalach, ma potencjał ogromnych oszczędności energii i redukcji emisji dwutlenku węgla”.
Jessica Wenmouth, dyrektor ds. komercjalizacji badań na Uniwersytecie Lancaster, powiedziała: „Z przyjemnością wspieram naszą spółkę typu spin-off Quinas w jej dążeniu do skalowania tej innowacyjnej firmy z Lancaster do procesu przemysłowego odpowiedniego dla odlewni półprzewodników, co przełoży się na oddziaływanie badań poprzez ich komercjalizację.
„Ten projekt nie tylko wpisuje się w strategię Uniwersytetu Lancaster, aby wspierać wpływowe badania i innowacje, ale także pokazuje efektywne wykorzystanie strategicznego finansowania grantowego wraz z inwestycjami kapitału prywatnego. Taka kooperacja jest kluczowa dla wprowadzania nowych produktów na rynek i napędzania znaczących inwestycji w Wielkiej Brytanii w nowe technologie, wzmacniając naszą krajową i globalną pozycję w najnowocześniejszych dziedzinach”.
Celem rocznego projektu industrializacji procesu jest zwiększenie średnic płytek ULTRARAM z 3″ w Lancaster do 6″ w IQE. Zostanie to osiągnięte dzięki zastosowaniu głównej techniki produkcyjnej epitaksji z fazy gazowej związków metaloorganicznych (MOVPE), zwanej również osadzaniem chemicznym związków metaloorganicznych z fazy gazowej (MOCVD), zamiast epitaksji z wiązki molekularnej (MBE), która jest zwykle stosowana na uniwersytetach.
Profesor Hayne powiedział: „Lancaster przeprowadzi wstępną epitaksję MBE jako kontrolę/szablon dla wzrostu przemysłowego. Naszą kluczową rolą będzie scharakteryzowanie materiału antymonkowego wyhodowanego w IQE, a gdy tylko zostanie potwierdzona wystarczająca jakość, wytworzymy i przetestujemy pamięć ULTRARAM na małych obszarach płytek z IQE.
„Równolegle Lancaster będzie kontynuował prace nad skalowaniem ULTRARAM, zmniejszając rozmiar poszczególnych urządzeń (‘prawo Moore’a’) i tworząc coraz większe macierze. Gdy urządzenia będą wystarczająco małe, a macierze wystarczająco duże, następnym etapem będzie zademonstrowanie produkcji na kompletnym 8-calowym waflu, a następnie przełożenie procesu na przemysłowy, odpowiedni dla odlewni półprzewodników.
Pamięć ULTRARAM wykorzystuje zjawisko tunelowania rezonansu kwantowego w celu uzyskania niezwykłych adekwatności i jest stosowana w półprzewodnikach złożonych stosowanych w urządzeniach fotonicznych, takich jak diody LED, diody laserowe i detektory podczerwieni, ale nie w elektronice cyfrowej, która jest domeną krzemu.
